← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 9
Работа: Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films
Double-injection currents in semiconductors
É. I. Adirovich, P. M. Karageorgii-Alkalaev, A. Iu. Leiderman
Статья1978Цитирований: 14ABIX-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals
I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3
Статья2010Цитирований: 9ABI