Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures

  1. Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC

    I. G. Atabaev, C. C. Tin, Б.Г. Атабаев +12

    Статья2008Цитирований: 8
    ABI

  2. Investigation of boron diffusion in 6H-SiC

    Yu Gao, Stanislav I. Soloviev, T. S. Sudarshan

    Статья2003Цитирований: 5
    ABI

  3. Diffusion of boron in silicon carbide

    K. Rüschenschmidt, H. Bracht, Michael Laube +2

    Статья2001Цитирований: 3
    ABI

  4. Vacancy defects in silicon carbide

    O. Girka, E. N. Mokhov

    Статья1995Цитирований: 3
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI

  6. Diffusion of boron in silicon carbide: Evidence for the kick-out mechanism

    H. Bracht, N. A. Stolwijk, Michael Laube +1

    Статья2000Цитирований: 2
    ABI

  7. Dual-Sublattice Modeling and Semi-Atomistic Simulation of Boron Diffusion in 4H-Silicon Carbide

    Kazuhiro Mochizuki, Haruka Shimizu, Natsuki Yokoyama

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  8. Electron paramagnetic resonance of deep boron acceptors in 4H-SiC and 3C-SiC crystals

    P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov

    Статья1998Цитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI