Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 12

Работа: The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET

1. Multigate transistors as the future of classical metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

   Isabelle Ferain, Cynthia A. Colinge, Jean-Pierre Colinge

   Статья2011Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386765

2. Short-channel effects in SOI MOSFETs

   S. Veeraraghavan, J.G. Fossum

   Статья1989Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390677

3. Implementation of the Density Gradient Quantum Corrections for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors

   Antonio J. García‐Loureiro, Natalia Seoane, M. Aldegunde +4

   Статья2011Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.397911

4. Quantum corrections in the simulation of decanano MOSFETs

   Asen Asenov, A. R. Brown, J.R. Watling

   Статья2003Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532704

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532701

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532702

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532703

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532705

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532706

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532707

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532708

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532709