Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 50

Работа: On the Conduction Mechanism of Silicate Glass Doped by Oxide Compounds of Ruthenium (Thick Film Resistors). 3. The Minimum of Temperature Dependence of Resistivity

  1. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1117
    ABI

  2. Без названия

    ДругоеЦитирований: 19
    ABI

  3. Introduction to Solid State Physics

    C. Kittel, Heng Fan

    Статья1957Цитирований: 15
    ABI

  4. Conduction Mechanism in RuO2-Based Thick Films

    К. Flachbart, V. Pavl�k, N. Toma?ovi?ov� +4

    Статья1998Цитирований: 8
    ABI

  5. Electrical properties and conduction mechanisms of Ru-based thick-film (cermet) resistors

    G. E. Pike, C. H. Seager

    Статья1977Цитирований: 7
    ABI

  6. Electrical conduction in thick film resistors

    Osamu Abe, Yoshiaki Taketa

    Статья1991Цитирований: 7
    ABI

  7. Ruthenium clusters in lead-borosilicate glass in thick film resistors

    Kenji Adachi, Sadahiro lida, Kazuhide Hayashi

    Статья1994Цитирований: 6
    ABI

  8. Electronic Properties of Doped Semiconductors

    B. I. Shklovskiǐ, Alex L. Efros

    Книга1984Цитирований: 6
    ABI

  9. Electrical conduction in thick film paste resistors

    David Smith, J.C. Anderson

    Статья1980Цитирований: 5
    ABI

  10. On the Conduction Mechanism of Silicate Glass Doped by Oxide Compounds of Ruthenium (Thick Film Resistors)

    G. Abdurakhmanov

    СтатьяElectrical and Thermal Properties of MaterialsWorld Journal of Condensed Matter Physics2011Цитирований: 4
    ABI

  11. Conduction mechanism in granular Ru02-based thick-film resistors

    W. Schoepe

    Статья1990Цитирований: 3
    ABI

  12. Chemical and Piezoresistive Microanalyses at the Interface of RuO <sub>2</sub> –Glass Diffusion Pairs

    Masashi Totokawa, Toshihiko Tani, Masamichi Yoshimura +4

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI

  13. Microstructural Analysis and Transport Properties of RuO<sub>2</sub>-Based Thick Film Resistors

    S. Gabáni, К. Flachbart, V. Pavlı́k +2

    Статья2008Цитирований: 3
    ABI

  14. Evolution of ruthenate-based thick film cermet resistors

    B. Morten, A. Masoero, M. Prudenziati +1

    Статья1994Цитирований: 3
    ABI

  15. Temperature Dependence of the Energy Gap in Monatomic Semiconductors

    Heng Fan

    Статья1950Цитирований: 2
    ABI

  16. Temperature dependence of semiconductor band gaps

    K.P. O’Donnell, X. Chen

    Статья1991Цитирований: 2
    ABI

  17. Comparison of different analytical descriptions of the temperature dependence of the indirect energy gap in silicon

    R. Pässler

    Статья1996Цитирований: 2
    ABI

  18. Temperature Dependence of the Energy Gap in Semiconductors

    Heng Fan

    Статья1951Цитирований: 2
    ABI

  19. Conduction in RuO<sub>2</sub>-based thick films†

    Krzysztof Bobran, Andrzej Kusy, A. W. Stadler +1

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI

  20. Electrical Transport in Thick Film Resistors

    Robert M. Hill

    Статья1980Цитирований: 2
    ABI

  21. Tunneling-percolation origin of nonuniversality: Theory and experiments

    Sonia Vionnet-Menot, Claudio Grimaldi, Thomas Maeder +2

    Статья2005Цитирований: 2
    ABI

  22. Electrical Conduction by Percolation in Thick Film Resistors

    F. Forlani, M. Prudenziati

    Статья1976Цитирований: 2
    ABI

  23. Microanalyses on the RuO <sub>2</sub> Particle–Glass Matrix Interface in Thick‐Film Resistors with Piezoresistive Effects

    Masashi Totokawa, Syuichi Yamashita, K. Morikawa +3

    Статья2008Цитирований: 2
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI