Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов

1. The High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes

   M. O. Tursunov, Khalmurat Iliev, B. K. Ismaylov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesPhysical Sciences and Technology2024Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.001804

2. Improving the efficiency of an industrial silicon solar cell by doping with nickel

   M. K. Bakhadirkhanov, Z. T. Kenzhaev, B. K. Ismaylov +3

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of the Belarusian State University Physics2021Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.009611