Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 37

Работа: Monovacancy–As complexes in proton-irradiated Ge studied by positron lifetime spectroscopy

  1. Radiation effects in semiconductors

    J. W. Corbett, G. D. Watkins

    Книга1971Цитирований: 7
    ABI

  2. Microcomputer program for analysis of positron annihilation lifetime spectra

    J. Kansy

    Статья1996Цитирований: 6
    ABI

  3. Positron Annihilation in Semiconductors

    R. Krause‐Rehberg, Hartmut S. Leipner

    Книга1999Цитирований: 6
    ABI

  4. Defect spectroscopy with positrons: a general calculational method

    M. J. Puska, R M Nieminen

    Статья1983Цитирований: 5
    ABI

  5. Positrons in Solids

    P. Hautojärvi

    Книга1979Цитирований: 5
    ABI

  6. Vacancy–group-V-impurity atom pairs in Ge crystals doped with P, As, Sb, and Bi

    В. П. Маркевич, I.D. Hawkins, А. R. Peaker +5

    Статья2004Цитирований: 4
    ABI

  7. Identification of defect properties by positron annihilation in Te-doped GaAs after Cu in-diffusion

    Mohamed Elsayed, R. Krause‐Rehberg, W. Anwand +2

    Статья2011Цитирований: 3
    ABI

  8. Theoretical and experimental study of positron annihilation with core electrons in solids

    M. Alatalo, B. Barbiellini, Mikko Hakala +6

    Статья1996Цитирований: 3
    ABI

  9. Shallow positron traps in GaAs

    K. Saarinen, P. Hautojärvi, A. Vehanen +2

    Статья1989Цитирований: 3
    ABI

  10. Lattice defects in semiconductors

    Ryukichi Hashiguchi

    Книга1968Цитирований: 3
    ABI

  11. Divacancy clustering in neutron-irradiated and annealed<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>n</mml:mi></mml:math>-type germanium

    K. Kuitunen, Filip Tuomisto, J. Slotte +1

    Статья2008Цитирований: 2
    ABI

  12. Observation of Irradiation-Induced Interstitial Copper Impurity in Germanium

    Akio Hiraki, J. W. Cleland, J. H. Crawford

    Статья1967Цитирований: 2
    ABI

  13. Charge states of vacancies in germanium investigated by simultaneous observation of germanium self-diffusion and arsenic diffusion

    Miki Naganawa, Yasuo Shimizu, Masashi Uematsu +4

    Статья2008Цитирований: 2
    ABI

  14. Double-hump diffusion profiles of copper and nickel in germanium wafers yielding vacancy-related information

    A. Giese, N. A. Stolwijk, H. Bracht

    Статья2000Цитирований: 2
    ABI

  15. Deep level defects produced by electron irradiation and their annealings in undoped germanium

    Kazuyoshi Ito, Takashi Ito, K. Mizuno

    Статья1986Цитирований: 2
    ABI

  16. Radiation defects in germanium. radiation defects annealed at ∼260°C in n-type germanium

    N. Fukuoka, H. Yamaji, M. Honda +1

    Статья1992Цитирований: 2
    ABI

  17. Divacancy complexes induced by Cu diffusion in Zn-doped GaAs

    Mohamed Elsayed, R. Krause‐Rehberg, B. Korff +2

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI

  18. Substitution of Impurity Atoms by Self-Interstitials in Thermal Neutron Irradiated Germanium

    Noboru Fukuoka, Haruo Saito, J. W. Cleland

    Статья1980Цитирований: 2
    ABI

  19. Germanium<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mmultiscripts><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ge</mml:mi></mml:mrow><mml:mprescripts/><mml:mrow/><mml:mrow><mml:mn>70</mml:mn></mml:mrow><mml:mrow/><mml:mrow/></mml:mmultiscripts></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msup><mml:mrow><mml:mo>/</mml:mo></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>74</mml:mn></mml:mrow></mml:msup></mml:mrow></mml:math>Ge isotope heterostructures: An approach to self-diffusion studies

    H. D. Fuchs, W. Walukiewicz, E. E. Häller +6

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI

  20. Effect of hydrostatic pressure, temperature, and doping on self-diffusion in germanium

    Martin Werner, H. Mehrer, H. D. Hochheimer

    Статья1985Цитирований: 2
    ABI

  21. Direct observations of the vacancy and its annealing in germanium

    J. Slotte, Simo Kilpeläinen, Filip Tuomisto +2

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  22. Production and annealing of electron irradiation damage in ZnO

    D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky +2

    Статья1999Цитирований: 2
    ABI

  23. General Theory of Impurity Diffusion in Semiconductors via the Vacancy Mechanism

    S. M. Hu

    Статья1969Цитирований: 2
    ABI

  24. Divacancy defects in germanium studied using deep-level transient spectroscopy

    M. Christian Petersen, A. Nylandsted Larsen, A. Mesli

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI

  25. Formation of vacancy-impurity complexes by annealing elementary vacancies introduced by electron irradiation of As-, P-, and Sb-doped Si

    V. Ranki, A. Pelli, K. Saarinen

    Статья2004Цитирований: 2
    ABI