Статья

Low threshold, large <i> T <sub>o</sub> </i> injectionlaser emissionfrom (InGa)As quantum dots

N. KirstaedterInstitut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, D-10623, GermanyN. N. LedentsovInstitut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, D-10623, GermanyMarius GrundmannInstitut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, D-10623, GermanyD. BimbergInstitut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, Berlin, D-10623, GermanyV.M. UstinovS. RuvimovM. V. MaximovP. S. Kop’evZh. I. AlfërovUwe RichterMax-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik und Labor für Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin, Weinberg 2, Halle(S), D-06120, GermanyP. WernerMax-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik und Labor für Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin, Weinberg 2, Halle(S), D-06120, GermanyU. GöseleMax-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik und Labor für Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin, Weinberg 2, Halle(S), D-06120, GermanyJ. HeydenreichMax-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik und Labor für Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin, Weinberg 2, Halle(S), D-06120, Germany

1994en

ABI

Аннотация

Low threshold, large To injection laser emission via zero-dimensional states in (InGa)As quantum dots is demonstrated. The dots are formed due to a morphological transformation of a pseudomorphic In0.5Ga0.5As layer. Laser diodes are fabricated with a shallow mesa stripe geometry.

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Идентификаторы

DOI: 10.1049/el:19940939

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