Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Growth of cubic GaN by molecular-beam epitaxy on porous GaAs substrates

1. Unstrained epitaxial InxGa1−xAs films obtained on porous GaAs

   F. Yu. Soldatenkov, V. P. Ulin, A. A. Yakovenko +3

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters1999Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1999.article.000035