← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 6
Работа: Growth of cubic GaN by molecular-beam epitaxy on porous GaAs substrates
Near ultraviolet luminescence of Be doped GaN grown by reactive molecular beam epitaxy using ammonia
A. Salvador, W. Kim, Özgür Aktaş +3
Статья1996Цитирований: 2ABI