Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC

   I. G. Atabaev, Tojiddin M. Saliev, Dilmurad SAIDOV +5

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials Sciences and Applications2011Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390730