Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: Influence of Various Impacts on the Composition and Structure of the Surface of Single-Crystal Si

  1. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, D. M. Muradkabilov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2013Цитирований: 19
    ABI

  2. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14
    ABI

  3. Method for additional purification of the surface of Si(111) single crystal

    A. S. Risbaev, J. B. Khujaniyazov, I. R. Bekpulatov +1

    СтатьяMaterial Properties and Failure MechanismsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2017Цитирований: 12
    ABI

  4. Features of CoSi2 phase formation by two-stage rapid thermal annealing of Ti/Co/Ti/Si(100) structures

    V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, В. В. Наумов +1

    Статья2011Цитирований: 9
    ABI

  5. Surface Science

    Kenjiro Oura, Michiko Katayama, А. В. Зотов +2

    Книга2003Цитирований: 5
    ABI

  6. Effect of Chemical Treatment of a Silicon Surface on the Quality and Structure of Silicon-Carbide Epitaxial Films Synthesized by Atom Substitution

    I. P. Kalinkin, С. А. Кукушкін, А. В. Осипов

    Статья2018Цитирований: 4
    ABI

  7. Formation of InAs nanoclusters in silicon by high-dose ion implantation: Experimental data and simulation results

    А. Ф. Комаров, Ф. Ф. Комаров, O. V. Milchanin +5

    Статья2015Цитирований: 3
    ABI

  8. Using of ion implantation for obtaining nanostructures with the wide band GaP based on GaP

    S. B. Donaev, V N Karimova, A T Azimov +2

    СтатьяNanowire Synthesis and ApplicationsIOP Conference Series Earth and Environmental Science2020Цитирований: 3
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Optimum technological modes of ion implantation and subsequent annealing for formation of thin nanosized silicide films

    I. R. Bekpulatov, Ilkhom Turapov, S. T. Abraeva +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesE3S Web of Conferences2021Цитирований: 1
    ABI