Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Structural defects in the epitaxial layers of semiconductors

1. (IV2)1−x(III-V)x solid solutions obtained from a bounded tin melt-solution

   Б. Сапаев, М. С. Саидов, А. С. Саидов +1

   СтатьяMaterial Science and ThermodynamicsSemiconductors2004Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.628595

2. Dislocation Mechanisms of Misfit Stress Relaxation in Crystalline Nanoheterostructures

   M. Yu. Gutkin, A. L. Kolesnikova, S.A. Krasnitckii +6

   СтатьяMetal and Thin Film MechanicsThe Physics of Metals and Metallography2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.003144