Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: On the generation-recombination currents in p-n junctions of semiconductors with continuous gap-state spectrum

  1. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

    W. Shockley, W. T. Read

    Статья1952Цитирований: 19
    ABI

  2. Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics

    Chih‐Tang Sah, Robert N. Noyce, W. Shockley

    Статья1957Цитирований: 14
    ABI

  3. The Theory of<i>p-n</i>Junctions in Semiconductors and<i>p-n</i>Junction Transistors

    W. Shockley

    Статья1949Цитирований: 3
    ABI

  4. Качественные методы в квантовой теории

    A. B. Migdal

    Статья1975Цитирований: 2
    ABI

  5. Advanced mathematical methods for scientists and engineers

    Carl M. Bender, Steven A. Orszag

    Книга1978Цитирований: 2
    ABI

  6. Recent developments in amorphous silicon p-n junction devices

    R.A.G. Gibson, W. E. Spear, P. G. Le Comber +1

    Статья1980Цитирований: 2
    ABI

  7. Phonon-assisted carrier transport across a grain boundary

    Chung-Sheng Wu, E.S. Yang

    Статья1982Цитирований: 2
    ABI

  8. RF Sputtered gold-amorphous silicon Schottky-barrier diodes

    Le Xu, D.K. Reinhard, Mark G. Thompson

    Статья1982Цитирований: 2
    ABI

  9. Doped amorphous semiconductors

    P. G. LeComber, W. E. Spear

    Глава1979Цитирований: 2
    ABI

  10. Computer simulation of generation-recombination currents in amorphous silicon p-n diode structures

    S. A. Azimov, P. M. Karageofgy-Alkalaev, A. Yu. Leĭderman +1

    СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1984Цитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI