Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate

   A. É. Atamuratov, M. M. Khalilloev, A.E. Abdikarimov +4

   СтатьяAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignNanosystems Physics Chemistry Mathematics2017Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.541483