Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: INFLUENCE OF IMPURITY NI AND CU ATOMS ON THE ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF SI

1. Decay of Impurity Clusters of Nickel and Cobalt Atoms in Silicon under the Influence of Pressure

   N. A. Turgunov, Elmurod Kh. Berkinov, D. Kh. Mamajonova

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesJournal of Nano- and Electronic Physics2021Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.279523

2. New Materials, Compounds and Applications

   Другое2024Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.241693

3. Characterization of Cu and Ni Precipitates in n– and p-type Czochralski-grown Silicon by Photoluminescence

   Chang Sun, Hieu T. Nguyen, Fiacre Rougieux +1

   Статья2016Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.385118

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.639666

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.639667