Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: The Mechanism of Silicon Epitaxial Layer Growth from Ion-Molecular Beams

1. Ion-Molecular Epitaxy

   A. Lyutovich

   ГлаваSemiconductor materials and devices1987Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1987.chapter.000006

2. Characterisation of the generation of ions in electron beam evaporator for the control of metal deposition processes

   A. Lyutovich, Karl Maile, A. Gusko +2

   Статьяnanoparticles nucleation surface interactionsSurface and Coatings Technology2002Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2002.article.000117