Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Antistructural defects in lead chalcogenides

1. Electron exchange between neutral and ionized germanium centers in PbSe

   E. I. Terukov, É. S. Khuzhakulov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2005Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000185

2. Mössbauer study of the Ge two-electron donor centers in PbSe

   Е. И. Теруков, E. S. Khuzhakulov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2005Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000286

3. Two-electron exchange between neutral and ionized negative-U tin centers in lead chalcogenides

   А. В. Марченко, К. У. Бобохужаев, А. Б. Жаркой +2

   СтатьяAdvanced Chemical Physics StudiesInorganic Materials2016Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2016.article.000586