Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Influence of the field of the built-in oxide charge on the lateral C- V dependence of the MOSFET

   A. É. Atamuratov, D. U. Matrasulov, P. K. Khabibullaev

   СтатьяSemiconductor materials and devicesDoklady Physics2010Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.612723