Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. The Influence of a Single Charged Interface Trap on the Subthreshold Drain Current in FinFETs with Different Fin Shapes

   A.E. Abdikarimov

   СтатьяAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignTechnical Physics Letters2020Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2020.article.001438