Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Influence of the Post-Diffusion Hardening Rate and Thermal Treatment on the Thermal Stability of the Charge-Carrier Lifetime in Overcompensated n-Si<B, S>

   M. Kаrimov, A. K. Karakhodzhaev

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesRussian Physics Journal2001Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2001.article.000182