Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Computer simulation of generation-recombination currents in amorphous silicon p-n diode structures

1. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons

   W. Shockley, W. T. Read

   Статья1952Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357503

2. Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics

   Chih‐Tang Sah, Robert N. Noyce, W. Shockley

   Статья1957Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.382034

3. On the theory of double injection in semiconductors with continuous distribution of trapping levels within the Gap

   A. Yu. Leĭderman

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1979Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1979.article.000019

4. Recent developments in amorphous silicon p-n junction devices

   R.A.G. Gibson, W. E. Spear, P. G. Le Comber +1

   Статья1980Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.651054

5. Phonon-assisted carrier transport across a grain boundary

   Chung-Sheng Wu, E.S. Yang

   Статья1982Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.651055

6. RF Sputtered gold-amorphous silicon Schottky-barrier diodes

   Le Xu, D.K. Reinhard, Mark G. Thompson

   Статья1982Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.651056

7. Doped amorphous semiconductors

   P. G. LeComber, W. E. Spear

   Глава1979Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.651057

8. Determination of depletion width in amorphous materials using a simple analytical model

   M. S. Shur, W. Czubatyj, A. Madan

   Статья1980Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.654718

9. Energy Conversion Process of p-i-n Amorphous Si Solar Cells

   Yukinori Kuwano, Shinya Tsuda, M. Ohnishi

   Статья1982Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.654719

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.654720