Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Quantum yield of current carriers excited by electron beams and electron penetration depth in thin GaP films

   S. A. Azimov, D. A. Aronov, V. M. Rubinov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesphysica status solidi (a)1983Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1983.article.000065