Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Semiconductor grain-boundary admittance: Theory

1. Charge-transfer theory in polycrystalline semiconductors with deep impurity centers

   K. M. Doshchanov

   СтатьяThin-Film Transistor TechnologiesSemiconductors1998Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1998.article.000190

2. Nonlinear and dynamic properties of charge transport in polycrystalline silicon under optical illumination

   K. M. Doshchanov

   СтатьяThin-Film Transistor TechnologiesSemiconductors2001Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2001.article.000246