Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Role of the substrate in the formation of structure defects representing step retardation sites during vapor phase epitaxy of gallium arsenide

   И. В. Ивонин, N. N. Krivolapov, L. G. Lavrent’eva +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesRussian Physics Journal1992Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1992.article.000151