Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Isolation of junction devices in GaAs using proton bombardment

1. Ion doping of gallium arsenide

   П. В. Павлов, E. I. Zorin, D. I. Tetelbaum

   СтатьяPhase-change materials and chalcogenidesRussian Physics Journal1980Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1980.article.000147

2. Influence of proton irradiation on the properties of a metal (Au)-anodic oxide-gallium arsenide structure

   С. В. Тихов, В. В. Мартынов, A. N. Kalinin +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesRussian Physics Journal1983Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1983.article.000124