Боб

Influence of X-Ray Radiation on Some Parameters of p-n Junctions in Silicon

O. A. KlimkovaNuclear Physics Institute, Academy of Sciences of the Uzbek SSR, Tashkent, UzbekistanO. R. NiyazovaNuclear Physics Institute, Academy of Sciences of the Uzbek SSR, Tashkent, Uzbekistan

1971en

ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Pulsed Power Technology Applications Semiconductor materials and interfaces Silicon Carbide Semiconductor Technologies

Идентификаторлар

DOI: 10.1007/978-1-4757-1232-2_62

Иқтибослар ва манбалар

0 та иқтибос4 та фойдаланилган манба

Кўрсаткичлар — AkademScholar