Investigation of the effect of large doses on the Si(Li) detector parameters

The influence of 60Co γ-rays and 3.5 MeV electrons on lithium-doped silicon is investigated. An decrease of the “free lithium” concentration caused by the interaction between the lithium atoms and radiation inserted vacancies is observed. It is estimated that this process leads to the modification of the sensitive region of detectors, which manifests as an increase (or decrease) of the “compensation grade” and a change of the i-regions sizes. Der Einfluß von 60Co-γ-Strahlen und 3,5 MeV-Blektronen auf lithiumdotiertes Silizium wird untersucht. Bin Abfall der Konzentration von “freiem Lithium” auf Grand der Wechselwirkung zwischen Lithiumatomen und strahlungsinduzierten Leerstellen wird beobachtet. Es wird abgeschätzt, daß dieser Prozeß zu einer Modifizierung des empfindlichen Bereichs des Detektors führt, die sich als Zunahme (oder Abnahme) des “Kompensationsgrades” und Änderung der Größe des i-Bereichs auswirkt.

Ҳали таржима қилинмаган