Мақола

Electrical properties of p-type ZnGeP2 irradiated by H+ ions

V. N. Brudnyı̆V. D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Institute at the State University, TomskV. A. NovikovV. D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Institute at the State University, Tomsk

Russian Physics Journaljournal1991en

ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Semiconductor materials and interfaces Chalcogenide Semiconductor Thin Films

Идентификаторлар

DOI: 10.1007/bf00898592

Иқтибослар ва манбалар

0 та иқтибос2 та фойдаланилган манба

Кўрсаткичлар — AkademScholar