Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
Мақола

The simulation of silicon doping by ion bombardment

T.S. PugachevaF.G. DzhurabekovaS.A. LemTashkentskij Gosudarstvennyj Univ., Tashkent (Uzbekistan)
1995en
ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Ion-surface interactions and analysisIntegrated Circuits and Semiconductor Failure AnalysisSilicon and Solar Cell Technologies

Иқтибослар ва манбалар

0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar