Мақола

Polycrystalline silicon S-diode fabricated using phosphorus thermal diffusion along grain boundaries

R. AlievInstitute of Electronics, Academgorodok, 700143, Tashkent, UzbekistanB. M. AbdurakhmanovInstitute of Electronics, Academgorodok, 700143, Tashkent, UzbekistanR. BilyalovInstitute of Electronics, Academgorodok, 700143, Tashkent, Uzbekistan

Interface Sciencejournal1997en

ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Semiconductor materials and interfaces Silicon and Solar Cell Technologies Silicon Nanostructures and Photoluminescence

Идентификаторлар

DOI: 10.1007/bf00200844

Иқтибослар ва манбалар

0 та иқтибос3 та фойдаланилган манба

Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада