Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method
N.I. KuznetsovIoffe Physicotechnical Institute RASD. A. BaumanA.V. GavrilinIoffe Physicotechnical Institute RASEvgenia V. KalininaIoffe Physicotechnical Institute RAS
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
2 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада