Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
Мақола

Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment

П. Б. ПарчинскийNational University of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan
Russian Microelectronicsjournal2005en
ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Идентификаторлар

Иқтибослар ва манбалар