Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

9 та иш

Иш: Effect of the Ge content on the Schottky barrier height in structures based on Si1 − x Ge x solid solution

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Китоб200258 иқтибос
    ABI

  2. The physics of semiconductor devices

    H. L. Grubin

    Мақола197918 иқтибос
    ABI

  3. Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics

    A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex

    Мақола20026 иқтибос
    ABI

  4. New semiconductor detectors for nuclear radiation utilizing Si1-x Ge x alloy

    М. С. Саидов, Р. А. Муминов, I. G. Atabaev +2

    Мақола19964 иқтибос
    ABI

  5. Surface barrier detectors using aluminum on n- and p-type silicon for α-spectroscopy

    H. Rahab, A. Keffous, H. Menari +3

    Мақола20013 иқтибос
    ABI

  6. Metal–semiconductor junctions on <i>p</i>-type strained Si1−<i>x</i>Ge<i>x</i> layers

    Omer Nur, M. Willander, Raşit Turan +2

    Мақола19962 иқтибос
    ABI

  7. Sputtered gold as an effective Schottky gate for strained Si∕SiGe nanostructures

    G. D. Scott, M. Xiao, H. W. Jiang +2

    Мақола20072 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI