Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре
А. С. СаидовФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, УзбекистанА.Ю. ЛейдерманSh. N. UsmonovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, УзбекистанK. A. AmonovФизико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
ABI
Аннотация
AbstractThe current–voltage characteristics of p -Si– n -(Si_2)_1 –_ x (ZnSe)_ x (0 ≤ x ≤ 0.01) heterostructures are studied at various temperatures. It is found that the current–voltage characteristics of such structures contain a portion of a sublinear increase in the current with voltage such as V = V _0 exp( Jad ). The concentrations of deep impurities responsible for the appearance of the sublinear portion in the current–voltage characteristic are estimated. The experimental results are explained based on the theory of the injection depletion effect.
Ҳали таржима қилинмаган
Мавзулар
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада