Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

23 та иш

Иш: Defect Structure of Silicon Doped with Erbium

  1. Multiphonon Raman Spectrum of Silicon

    P. A. Temple, C. E. Hathaway

    Мақола19738 иқтибос
    ABI
  2. Determining the material structure of microcrystalline silicon from Raman spectra

    C. Smit, R.A.C.M.M. van Swaaij, H. Donker +3

    Мақола20034 иқтибос
    ABI
  3. Raman spectroscopy of PtSi formation at the Pt/Si(100) interface

    J. C. Tsang, Y. Yokota, R. Matz +1

    Мақола19844 иқтибос
    ABI
  4. Electrophysical properties of silicon doped with lutetium

    Sh.Kh. Daliev, Sharifa B. Utamuradova

    Мақола20244 иқтибос
    ABI
  5. One and two-phonon Raman scattering from nanostructured silicon

    Igor Iatsunskyi, Grzegorz Nowaczyk, Stefan Jurga +3

    Мақола20153 иқтибос
    ABI
  6. Resonant Raman scattering of a single layer of Si nanocrystals on a silicon substrate

    A. Wellner, Vincent Paillard, H. Coffin +2

    Мақола20043 иқтибос
    ABI
  7. Raman Spectra of Amorphous Si and Related Tetrahedrally Bonded Semiconductors

    J.E. Smith, M. H. Brodsky, B. L. Crowder +2

    Мақола19713 иқтибос
    ABI
  8. Critical-point analysis of the two-phonon Raman spectrum of silicon

    K. Uchinokura, Tomoyuki Sekine, E. Matsuura

    Мақола19743 иқтибос
    ABI
  9. Initial Phase formation at the Interface of Ni, Pd, or Pt and Si

    R. J. Nemanich, Chia-Lun Tsai, B. Stafford +2

    Мақола19832 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI