В. Н. Соловьев

1 ta ish

Ioffe Institute

1. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

   E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

   Maqola20004 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.534891