Ekotizim

Kashfiyot

Xizmatlar

AslMatnboshqa saytga oʻtadiPlagiat va AI-matn aniqlash
AkademJSboshqa saytga oʻtadiBoshqariladigan ilmiy nashr platformasi
AkademTranslittez oradaTransliteratsiya va tarjima
AkademAItez oradaEkotizimning AI qatlami
AkademPreprinttez oradaPreprint nashr platformasi

Identifikatsiya

AkademIDboshqa saytga oʻtadiTadqiqotchi identifikatori va profili

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBaseboshqa saytga oʻtadiMaʼlumot infratuzilmasi va API

Ekotizim

AkademTechboshqa saytga oʻtadiAkademik infratuzilma ekotizimi

Loyiha haqida Qamrov Yordam

Maqola

Electric Characteristics of 6H-SiC/GaN Isotype n-n Heterojunctions

N.I. KuznetsovIoffe Physicotechnical Institute RASA. E. NikolaevIoffe Physicotechnical Institute RASYu. MelnikIoffe Physicotechnical Institute RASIrina P. NikitinaNewcastle University

Materials science forumbook series2000en

Ochiq kirishGibrid

Litsenziya: cc-by

Manbada oʻqishdoi.org(yangi oynada ochiladi)

ABI

Annotatsiya

Annotatsiya mavjud emas.

Mavzular

GaN-based semiconductor devices and materials Silicon Carbide Semiconductor Technologies Ga2O3 and related materials

Identifikatorlar

DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1655

Iqtiboslar va manbalar

0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba