Влияние кластерообразования компонентов при выращивании варизонного твердого раствора Si1-xGex из оловянного раствора-расплава
A. Sh. RazzokovУргенческий государственный университетА.А. СаидовС.И. ПетрушенкоХарьковский национальный университет им. В.Н. КаразинаС.В. ДукаровХарьковский национальный университет им. В.Н. КаразинаD.E. KoshchanovaУргенческий государственный университетР.М. ОтажоноваУргенческий государственный университет
2024ru
Ochiq kirish: yoʻq
ABI
Annotatsiya
Выращены монокристаллические пленки твердого раствора Si1-xGex (0 из оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии. Темпе-ратура начала кристаллизации варьировались в интервале Тнк=(800−1050)°С. Рентгено-дифрактометрическим методом изучена монокристалличность полученных пленок, атакже зависимость плотности дислокаций на границе подложка-пленка от количества иразмера образованных нанокластеров в растворе-расплаве в процессе роста твердогораствора Si1-xGex .Приведены оптимальные технологические режимы роста для получе-ния кристаллических совершенных эпитаксиальных слоёв и структур.
Hali tarjima qilinmagan
Identifikatorlar
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba