Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

17 ta ish

Ish: Growth of Solid Solutions (Ge2)1−x−y(GaAs1−δBiδ)x(ZnSe)y on Silicon Sub-strates by Liquid Phase Epitaxy

  1. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

    С. З. Зайнабидинов, A.S. Saidov, M. U. Kalanov +1

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy20195 iqtibos
    ABI

  2. The The Gas-Sensitive Properties of Tin Dioxide Films

    Nuritdin Y. Yunusaliyev

    MaqolaOchiq kirishGas Sensing Nanomaterials and SensorsEast European Journal of Physics20245 iqtibos
    ABI

  3. Structure, Morphology and Photoelectric Properties of n-GaAs--p-(GaAs)1--x(Ge2)х Heterostructure

    S.Z. Zaynabidinov, A.S. Saidov, Akramjon Y. Boboev +1

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesHerald of the Bauman Moscow State Technical University Series Natural Sciences20224 iqtibos
    ABI

  4. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    D. S. Abramkin, М. О. Петрушков, М. А. Putyato +5

    Maqola20194 iqtibos
    ABI

  5. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish3 iqtibos
    ABI

  6. Sarlavhasiz

    Boshqa3 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  15. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  16. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  17. Sarlavhasiz

    BoshqaOchiq kirish1 iqtibos
    ABI