The low-temperature doping of silicon by radiation-induced diffusion

Low-temperature doping of silicon by the radiation-induced diffusion (RID) is investigated theoretically and experimentally. It is estimated that RID of impurities diffusing on interstitial sites in silicon can occur in accordance with impurity recharging models. The possibility of Pd or Co doping of silicon at 45 °C using Co60 γ-radiation (1800 Rs−1) is confirmed experimentally. Es wird die Tieftemperaturdotierung von Silizium durch strahlungsinduzierte Diffusion (RID) theoretisch und experimentell untersucht. Dabei wird angenommen, daß RID von Störstellen, die über Zwischengitterplätzen diffundieren, im Einklang mit Störstellenumladungsmodellen auftreten kann. Die Möglichkeit einer Pd- oder Co-Dotierung von Silizium bei 45 °C mit Co60-γ-Strahlung (1800 Rs−1) wird experimentell bestätigt.

Hali tarjima qilinmagan