Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaEkotizim uchun ochiq API
Lotin
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

11 ta ish

Ish: Temperature Dependences of the Sputtering of Negative Silicon Cluster Ions

  1. Secondary-ion emission probability in sputtering

    Jens K. Nørskov, Bengt I. Lundqvist

    Maqola19796 iqtibos
    ABI

  2. Clusters sputtered from tungsten

    G. Staudenmaier

    Maqola19725 iqtibos
    ABI

  3. A model calculation of the neutral molecule emission by sputtering processes

    W. Gerhard

    Maqola19753 iqtibos
    ABI

  4. On the mechanism of cluster emission in sputtering

    K. Wittmaack

    Maqola19793 iqtibos
    ABI

  5. Энергетический порог атомарного и кластерного распыления некоторых элементов при бомбардировке ионами Cs, Rb, Na

    Р. Джаббарганов, Б. Г. Атабаев, З. А. Исаханов +1

    Maqola20193 iqtibos
    ABI

  6. Энергетическая и температурная зависимость вторичной ионной эмиссии кластеров GaN/SiC при бомбардировке ионами цезия

    Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, М. Х. Ахмаджонова +1

    Maqola20213 iqtibos
    ABI

  7. Surface investigation of solids by the statical method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS)

    A. Benninghoven

    Maqola19732 iqtibos
    ABI

  8. Emission mechanisms of titanium oxide ions during sputtering

    Ming L. Yu

    Maqola19812 iqtibos
    ABI

  9. Secondary ion yield variations due to cesium implantation in silicon

    K. Wittmaack

    Maqola19832 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI