Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

17 ta ish

Ish: Growth of Solid Solutions (Ge2)1−x−y(GaAs1−δBiδ)x(ZnSe)y on Silicon Sub-strates by Liquid Phase Epitaxy

  1. The The Gas-Sensitive Properties of Tin Dioxide Films

    Nuritdin Y. Yunusaliyev

    MaqolaGas Sensing Nanomaterials and SensorsEast European Journal of Physics20244 iqtibos
    ABI

  2. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

    С. З. Зайнабидинов, A.S. Saidov, M. U. Kalanov +1

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy20193 iqtibos
    ABI

  3. Structure, Morphology and Photoelectric Properties of n-GaAs--p-(GaAs)1--x(Ge2)х Heterostructure

    S.Z. Zaynabidinov, A.S. Saidov, Akramjon Y. Boboev +1

    MaqolaSemiconductor materials and interfacesHerald of the Bauman Moscow State Technical University Series Natural Sciences20223 iqtibos
    ABI

  4. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    D. S. Abramkin, М. О. Петрушков, М. А. Putyato +5

    Maqola20193 iqtibos
    ABI

  5. Sarlavhasiz

    Boshqa2 iqtibos
    ABI

  6. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  7. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  8. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  9. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  12. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  13. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  14. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  15. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  16. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  17. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI