Перейти к основному содержанию
Akadem
Index
Экосистема
Продукты
AkademIndex
Научный поиск и навигация
AkademScholar
Метрики и научная аналитика
AkademID
скоро
Идентификатор автора и профили
Для разработчиков
AkademBase
Открытый API экосистемы
Найти
О проекте
Охват
Помощь
Русский
Русский
Светлая
Светлая
Русский
Русский
Найти
Vladimir Dmitriev
Работ: 1
Growth of SiC and GaN on Porous Buffer Layers
M. G. Mynbaeva
,
N.S. Savkina
,
A. S. Tregubova
+12
Статья
GaN-based semiconductor devices and materials
Materials science forum
2000
Цитирований: 0
ABI
ABI:AkademIndex/openalex/2000.article.000163