Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
Статья

The influence of laser annealing on the surface state of ion doped silicon

I.N. KodirovA. K. TashatovБ. Е. УмирзаковM.T. NormuradovTashkentskij Gosudarstvennyj Univ., Tashkent (Uzbekistan)
1995en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро