Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Статья

The simulation of silicon doping by ion bombardment

T.S. PugachevaF.G. DzhurabekovaS.A. LemTashkentskij Gosudarstvennyj Univ., Tashkent (Uzbekistan)
1995en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Ion-surface interactions and analysisIntegrated Circuits and Semiconductor Failure AnalysisSilicon and Solar Cell Technologies

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar