The study of influence of the duration of formation of p + -layer on the process of radiation defect production in silicon structures
Sh. MakhkamovN.A. TursunovM. AshurovR.P. SaidovS.V. MartynchenkoAN RU, Tashkent (Uzbekistan). Inst. Yadernoj Fiziki
1997en
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро