← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 11
Работа: Doping of <i>n</i>-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam
Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy
T. Dalibor, Gerhard Pensl, H. Matsunami +4
Статья1997Цитирований: 5ABIModification of semiconductors with proton beams. A review
В. В. Козловский, В. А. Козлов, V. N. Lomasov
Обзорная статья2000Цитирований: 3ABIHigh-resistance layers in <i>n</i>-type 4H-silicon carbide by hydrogen ion implantation
Статья1997Цитирований: 2ABI