4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method for High-Power Applications
N.I. KuznetsovIoffe Physicotechnical Institute RASD. A. BaumanA.V. GavrilinIoffe Physicotechnical Institute RASLiliana KassamakovaBulgarian Academy of SciencesRoumen KakanakovBulgarian Academy of SciencesG. SarovBulgarian Academy of SciencesT. CholakovaBulgarian Academy of SciencesKonstantinos ZekentesFoundation for Research and Technology-Hellas(FORTH)V. I. DimitrovFatih University
ABI
Аннотация
Аннотация отсутствует.
Темы
Идентификаторы
Цитирования и источники
Цитирований: 0Использованных источников: 6
Показатели — AkademScholar · Скоро