Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method for High-Power Applications

1. 4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates

   N.I. Kuznetsov, Andrey Morozov, D. A. Bauman +8

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2000Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2000.article.000164

2. Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method

   N.I. Kuznetsov, D. A. Bauman, A.V. Gavrilin +1

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2002Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2002.article.000200

3. Crystal Defects as Source of Anomalous Forward Voltage Increase of 4H-SiC Diodes

   Peder Bergman, H. Lendenmann, Per Åke Nilsson +2

   Статья2001Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659152

4. Long Term Operation of 4.5kV PiN and 2.5kV JBS Diodes

   H. Lendenmann, Fanny Dahlquist, Nils Johansson +4

   Статья2001Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659153

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.659154

6. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies

   H. Morkoç̌, S. Strite, Guangjun Gao +3

   Статья1994Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.668922