Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 16

Работа: The electrical and optical properties of InAs irradiated with electrons (∼2 MeV): The energy structure of intrinsic point defects

  1. Deep and resonance states in A<sup>IV</sup> B<sup>VI</sup> semiconductors

    V.I. Kaidanov, Yu. I. Ravich

    Статья1985Цитирований: 3
    ABI

  2. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors

    V. N. Brudnyı̆, S. N. Grinyaev, V. E. Stepanov

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI

  3. Positron Annihilation and Electrical Properties of Electron-Irradiated (≈ 2 MeV) InAs Crystals

    V. N. Brudnyı̆, S.A. Vorobiev, A. A. Tsoi

    СтатьяMuon and positron interactions and applicationsphysica status solidi (a)1982Цитирований: 1
    ABI

  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI